Wafer
ウエハ加工
ドライエッチング方式ではボッシュ・ノンボッシュを選択できます。 ボッシュエッチングではSi基板を貫通するような高アスペクト加工に対応が可能です。 ノンボッシュエッチングではスキャロップフリー（滑らかな側壁）が可能です。
Φ20μm / 40μmピッチ～既存マスクがあり マスク新規作成でより狭ピッチデザインにも対応が可能です。
Chip First方式、Chip last方式の両方に対応し、 材料・装置・プロセス評価など開発試作をサポートします。
2層以上の配線～バンプ形成まで対応可。 接合評価用ウエハでは2µmサイズのCuパターン形成実績あります。
Φ2インチ～Φ300mm・450ｍｍまで 各種ダミーウエハー/プライムウエハを提供しています。 抵抗値の指定や厚ウエハなど、通常規格外品などもご相談ください。
ウエハ上に形成された解析用パターンをTEG (Test Element Group)と呼び、異なるパターンの回路から、 特性評価を実施して設計、製造上で発生する不良の解析に使用されます。 対応スペック
ドライエッチングの技術を応用することで、 円錐型のSi突起形状や円柱Φ10μm形成など、 特殊形状のパターンエッチングに対応します。
既存マスクを利用してLS=50nmや200nmなど 微細パターンを高アスペクトエッチング加工が可能です。
Al, Al-Cu , Al-Si, Cuなど各種金属で 2層配線やデイジーチェーンなど各デザインに対応します。
ドライエッチング条件を調整することによって、 指定テーパー角度を付けたエッチングにも対応します。
Φ270µm / 400µmピッチなどの 既存マスクがあり 200µm高さなどのハイバンプなどに対応します。
ご支給基板への RDL（Re Distribute Layer）配線加工にも対応致します。
熱歪み/熱応力が生じないため 微細パターンでも影響なく接合が可能です。 ※アライメント精度：1μm以下
チップ～大型パネルサイズまで トレンチ埋込平坦化（ダマシンプロセス）・ 層間膜/メタル配線の平坦化・面粗さの向上などの処理が可能です。 仕様詳細についてはご相談ください。
CMP研磨に使用されるスラリー、パッド・洗浄液など ご支給材料の評価ソリューションを提供します。
DC方式はブレード、ステルス・プラズマなどの各方式で対応し 対象基板はSi・化合物系・ガラス・有機基板など様々なダイシングができます。 DC後のチップはチップトレイ梱包又はテープリール梱包まで対応可能です。
TSVチップを3層以上積層対応が可能です。 弊社オリジナルのGNC -G03- TSV kit（多層実装の評価用TEG）では導通テストも可能で実装材料評価ができます。
スパッタ・真空蒸着など各成膜法に対応します。 ターゲット材料は100種類以上の取り扱いがあります。
TEOS , SIN , SiCN , SiOCなど各膜種に対応します。 酸化膜では金属配線などがある御支給ウエハなども受け入れ可能。 5μm以上の厚膜形成にも対応します。
Al2O3 , SiN , Ru , Moなど各種膜に対応しており 300㎜ウエハや大型基板サイズにも成膜可能です。
□1.0㎜以下の微小チップと大きなチップの混在や 狭ピッチ実装するマルチチップ実装にも対応します。
電解・無電解の各めっき法に対応します。 TSVや微細パターンの埋め込み後に、CMP研磨までも可能です。
有機膜材料（レジスト・PI・PBO）でのコーティングに対応します。 ALD技術を用いて、粉体表面をコーティングするも可能です。
個片チップ～Φ8インチ SiC / InP / GaN / GaAsなど ご希望の用途に応じた各種化合物半導体を取り扱っております。 製品グレードについては、ご相談ください。
Φ２～Φ300mmまで、下記サイズを取り扱っております。 Box厚：～5.0μm、デバイス層：2.0μm～程度のスペックがあり 少数でも対応可能です。
合成石英・無アルカリガラス・サファイアを 各種材料の入手から、加工まで対応します。 ※TTV≦５μm対応可能
FR-4・FR-5、CEM-3などの各基板の入手から 穴加工・ザグリ加工、電極作成などに対応します。
SUS,Al,Cuなどの各種プレート 鏡面磨き上げなどカスタム仕様にも対応します。
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