パワーデバイス、MEMSなどに幅広く採用されており、SOI (Silicon On Insulator)構造を活かしてパワーデバイスでは高耐圧、低消費電力化が進められています。またMEMSではBOX層を深堀エッチングのストッパーとして利用することで複雑な３次元構造の素子化が可能となり、多種のMEMSに採用されております。

CZ・FZウェーハを使用した新規の製作対応も可能です。

対応スペック

SOIの対応スペック画像




ウエハサイズ φ２inch φ3inch φ6inch φ8inch φ300mm
SOI層 2-200um程度（抵抗1万Ω以上など高抵抗）

SiO2(酸化膜）層 50nm-2um程度 (0.1-10umも対応可能）

支持基板 300-725um程度（抵抗1万Ω以上など高抵抗対応）