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SiCは高い絶縁破壊電界強度、ワイドバンドギャップ、低オン抵抗、高い熱伝導率等の半導体材料として優れた特性を持つため、SiCパワー半導体は高効率と小型が求められるEV、電車、再生可能エネルギーの電力変換、更にはインフラ機器、家電、医療機器に適用が拡大され、今後のSDGｓを支える電子デバイスとなることが期待されています。そしてSICパワー半導体の2035年市場規模は5兆3000億円を超え、パワー半導体市場の約40％を占めるまで成長する予測されています。 一方で、大直径ウェハにおける欠陥制御、陥密度低減に代表される製造上の課題も未だ残っており、製造コストが普及拡大の障害となっていることも見逃せません。 今回のセミナーは、このSiCパワーデバイスの市場、デバイス開発、ウェーハ製造の観点からそれぞれの専門家から最新の状況を語っていただきます。
受講料 : 30,800円（税込み）〜講師 :鈴木寿哉氏（Omdia）、今泉昌之氏（三菱電機株式会社）、 高見信一郎氏（株式会社フジミインコーポレーテッド）会場 : 連合会館（新御茶ノ水駅 徒歩0分） /zoom
半導体/MEMS/ディスプレイのWEBEXHIBITION（WEB展示会）による製品・サービスのマッチングサービス SEMI-NET（セミネット）