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Tag Archives: infineon

ロームとInfenionがSiCパワーデバイスで協業 パッケージ共通化でユーザーの利便性向上へ

ローム株式会社とパワー半導体世界最大手の独Infineon technologiesは2025年9月25日、SiCパワーデバイスのパッケージに関する協力体制を構築するための覚書を締結した。この協業により、両社間で互換性の…

Infineon、トレンチベースのSiCスーパージャンクション技術を確立

独の半導体大手、Infenion Technologiesは2025年5月6日、トレンチベースのSiCスーパージャンクション(TSJ)技術コンセプトを発表した。この技術は、トレンチ技術とスーパージャンクション技術を組み合…

独Infineon Technologies、世界最薄の厚さ20μmSiウエーハを開発、基板抵抗を削減し電力損失改善へ

独Infineon Technologiesは10月29日、世界最薄である厚さ20㎛の300mm Siパワー半導体ウエーハのハンドリング及び加工に成功したと発表した。従来の厚さ40~60㎛のおよそ半分、人間の髪の毛の4分…

Infineon Technologies,世界初の300mm GaNウエーハを発表

2024年9月11日、ドイツのパワー半導体世界最大手のInfineon Technologiesはフィラッハ(オーストリア)のパワー半導体工場の既存の300mmシリコン製造に統合されたパイロットラインで世界初の300mm…

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