レゾナックは9月24日、先進的な半導体材料を製造する仏Soitecとパワー半導体に使用される200mmのSiC(炭化ケイ素)エピタキシャルウエーハの材料となる8インチSiC貼り合わせ基板の共同開発契約を締結したと発表した…
Written on 10月 1, 2024 at 9:42 AM, by global-admin
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米国の半導体大手Intelと台湾の半導体受託生産大手UMCは1月25日、モバイルや通信インフラ、ネットワーキングなどの高成長市場向けの12nmプロセスプラットフォームの開発で協業し、生産を行うと発表した。両者は2027年…
Written on 1月 30, 2024 at 10:02 AM, by global-admin
Tags: Intel, UMC, 業務提携
三菱電機は5月26日、米Coherent社(Ⅱ-Ⅵ)とパワーエレクトロニクス向けの8インチSiC基板共同開発に関する基本合意書を締結した。 SiCパワーモジュールは、従来のシリコンベースのパワーモジュールに比べ、耐圧性能…
Written on 5月 30, 2023 at 1:36 PM, by global-admin
Tags: SiC, 三菱電機, 業務提携