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Tag Archives: 業務提携

レゾナック、Soitec社とSiCパワー半導体向け貼り合わせ基板の共同開発契約締結

レゾナックは9月24日、先進的な半導体材料を製造する仏Soitecとパワー半導体に使用される200mmのSiC(炭化ケイ素)エピタキシャルウエーハの材料となる8インチSiC貼り合わせ基板の共同開発契約を締結したと発表した…

米Intel、台UMCと12nmノードにおいて提携をすることを発表

米国の半導体大手Intelと台湾の半導体受託生産大手UMCは1月25日、モバイルや通信インフラ、ネットワーキングなどの高成長市場向けの12nmプロセスプラットフォームの開発で協業し、生産を行うと発表した。両者は2027年…

三菱電機、米Coherentと8インチSiC基板共同開発に合意

三菱電機は5月26日、米Coherent社(Ⅱ-Ⅵ)とパワーエレクトロニクス向けの8インチSiC基板共同開発に関する基本合意書を締結した。 SiCパワーモジュールは、従来のシリコンベースのパワーモジュールに比べ、耐圧性能…