住友電気工業は7月7日、東京大学の前田拓也講師らの研究グループとの共同研究を通じて、窒化ガリウムトランジスタ(GaN-HEMT)の次世代バリア層材料として期待されている窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN)と窒化ガリ…
Written on 7月 15, 2025 at 9:29 AM, by global-admin
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Tags: GaN, 住友電工
ルネサスエレクトロニクスは2025年7月2日、高耐圧650Vの窒化ガリウム(GaN)パワー半導体を発売し、量産を開始したと発表した。新製品は同社が2024年6月に買収した米TransphormのSuperGaN技術を活用…
Written on 7月 8, 2025 at 9:28 AM, by global-admin
Tags: GaN, ルネサスエレクトロニクス
2024年9月11日、ドイツのパワー半導体世界最大手のInfineon Technologiesはフィラッハ（オーストリア）のパワー半導体工場の既存の300mmシリコン製造に統合されたパイロットラインで世界初の300mm…
Written on 9月 17, 2024 at 11:54 AM, by global-admin
Tags: 300mm, GaN, infineon
ルネサスエレクトロニクスは6月20日、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体を手掛ける米・Transphormの買収を完了し、完全子会社化したと発表した。買収金額は3億3900万ドル（約537億円）。これによりルネサスはGa…
Written on 6月 25, 2024 at 6:53 PM, by global-admin
Tags: GaN, ルネサス
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