Tag Archives: GaN

信越化学の300mm QST基板、GaN破壊電圧で世界最高記録達成

信越化学工業は2025年11月13日、同社が開発した300mm GaN(窒化ガリウム)用のQST基板のサンプル評価において、同基板を用いた5㎛厚のHEMTデバイスが、300mm基板として世界最高記録となる650Vを超える…

Written on 11月 18, 2025 at 9:45 AM, by global-admin

米半導体大手、GlobalFoundries(GF)は2025年11月10日、台TSMCと650V及び80V窒化ガリウム(GaN)技術に関するライセンス契約を締結したと発表した。これによりGFはデータセンター、産業、車載…

Written on 11月 18, 2025 at 9:41 AM, by global-admin

住友電気工業は7月7日、東京大学の前田拓也講師らの研究グループとの共同研究を通じて、窒化ガリウムトランジスタ(GaN-HEMT)の次世代バリア層材料として期待されている窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN)と窒化ガリ…

Written on 7月 15, 2025 at 9:29 AM, by global-admin

ルネサスエレクトロニクスは2025年7月2日、高耐圧650Vの窒化ガリウム(GaN)パワー半導体を発売し、量産を開始したと発表した。新製品は同社が2024年6月に買収した米TransphormのSuperGaN技術を活用…

Written on 7月 8, 2025 at 9:28 AM, by global-admin