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Tag Archives: GaN

住友電工、新規窒化物半導体のヘテロ接合における電子散乱機構を解明

住友電気工業は7月7日、東京大学の前田拓也講師らの研究グループとの共同研究を通じて、窒化ガリウムトランジスタ(GaN-HEMT)の次世代バリア層材料として期待されている窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN)と窒化ガリ…

ルネサスエレクトロニクス、GaNパワー半導体の新製品を販売開始

ルネサスエレクトロニクスは2025年7月2日、高耐圧650Vの窒化ガリウム(GaN)パワー半導体を発売し、量産を開始したと発表した。新製品は同社が2024年6月に買収した米TransphormのSuperGaN技術を活用…

Infineon Technologies,世界初の300mm GaNウエーハを発表

2024年9月11日、ドイツのパワー半導体世界最大手のInfineon Technologiesはフィラッハ(オーストリア)のパワー半導体工場の既存の300mmシリコン製造に統合されたパイロットラインで世界初の300mm…

ルネサスエレクトロニクス、米Transphorm社の買収を完了と発表

ルネサスエレクトロニクスは6月20日、GaN(窒化ガリウム)パワー半導体を手掛ける米・Transphormの買収を完了し、完全子会社化したと発表した。買収金額は3億3900万ドル(約537億円)。これによりルネサスはGa…

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