Tag Archives: GaN

VIS、TSMCとGaN技術ライセンス契約　高耐圧・低耐圧を網羅、電力半導体で独自路線を強化

台湾の半導体受託生産大手、VISは2026年1月28日、台TSMCと高耐圧(650V)及び低耐圧(80V)のGaN(窒化ガリウム)技術に関するライセンス契約を締結したと発表した。これによりVISは、データセンターや自動車…

Written on 2月 3, 2026 at 10:06 AM, by global-admin

信越化学工業は2025年11月13日、同社が開発した300mm GaN(窒化ガリウム)用のQST基板のサンプル評価において、同基板を用いた5㎛厚のHEMTデバイスが、300mm基板として世界最高記録となる650Vを超える…

Written on 11月 18, 2025 at 9:45 AM, by global-admin

米半導体大手、GlobalFoundries(GF)は2025年11月10日、台TSMCと650V及び80V窒化ガリウム(GaN)技術に関するライセンス契約を締結したと発表した。これによりGFはデータセンター、産業、車載…

Written on 11月 18, 2025 at 9:41 AM, by global-admin

住友電気工業は7月7日、東京大学の前田拓也講師らの研究グループとの共同研究を通じて、窒化ガリウムトランジスタ(GaN-HEMT)の次世代バリア層材料として期待されている窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN)と窒化ガリ…

Written on 7月 15, 2025 at 9:29 AM, by global-admin