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Tag Archives: GaN

ルネサスエレクトロニクス、GaNパワー半導体の新製品を販売開始

ルネサスエレクトロニクスは2025年7月2日、高耐圧650Vの窒化ガリウム(GaN)パワー半導体を発売し、量産を開始したと発表した。新製品は同社が2024年6月に買収した米TransphormのSuperGaN技術を活用…

Infineon Technologies,世界初の300mm GaNウエーハを発表

2024年9月11日、ドイツのパワー半導体世界最大手のInfineon Technologiesはフィラッハ(オーストリア)のパワー半導体工場の既存の300mmシリコン製造に統合されたパイロットラインで世界初の300mm…

ルネサスエレクトロニクス、米Transphorm社の買収を完了と発表

ルネサスエレクトロニクスは6月20日、GaN(窒化ガリウム)パワー半導体を手掛ける米・Transphormの買収を完了し、完全子会社化したと発表した。買収金額は3億3900万ドル(約537億円)。これによりルネサスはGa…

中国商務省、ガリウム・ゲルマニウム関連製品を輸出規制の対象に指定

中国商務省は、ガリウムやゲルマニウムといった鉱物資源を、2023年8月1日から輸出規制を実施することを発表した。中国の輸出管理法に基づく措置で、当局の許可を得られないと輸出することは出来ない。中国商務省によると、8種類の…

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