2024年9月11日、ドイツのパワー半導体世界最大手のInfineon Technologiesはフィラッハ（オーストリア）のパワー半導体工場の既存の300mmシリコン製造に統合されたパイロットラインで世界初の300mm パワーGaN（窒化ガリウム）ウエーハ製造技術の開発に成功したことを発表した。Infineonによると、同ウエーハは既存の拡張可能な大量製造環境で開発しており、今後の発展が期待される。

300mm GaNウエーハを用いることで、ウエーハ1枚あたりのチップ取れ高が8インチウエーハの2.3倍に増加することや、GaNとシリコンの製造プロセスが非常に似ているために既存の 300 mm シリコン製造装置を利用できるといったメリットが存在する。

Infineonでは、2023年にカナダのGaNパワーデバイスメーカのGaN Systemsを8億3,000万米ドルで買収しており、GaNパワーデバイスの拡充に力を入れている。

今後Infineonでは、2024年11月にドイツのミュンヘンで開催される展示会「Electronica 2024」で一般公開する予定。

出典：Infineon Technologies　プレスリリース