Tag Archives: 化合物半導体

産総研、世界発のGaN、SiCのハイブリッドデバイスを動作実証

産業技術総合研究所（以下産総研）先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチームの中島昭主任研究員、原田信介研究チーム長は、ワイドバンドギャップ半導体であるGaN（窒化ガリウム）を用いた高電子移動度ト…

Written on 12月 14, 2021 at 10:48 AM, by global-admin

SEMIは2021年10月18日、世界のシリコンウエハ出荷面積の予測を発表した。2021年の出荷面積は前年比13.9％増の139億9,800万平方インチとなり、過去最高となる見通しである。ロジック、ファウンドリ、メモリの…

Written on 11月 2, 2021 at 8:36 AM, by global-admin

SEMIは2021年10月12日、全世界のパワーおよび化合物半導体工場の生産能力が、2023年に月産1,024万枚（200mmウェーハ換算）と初めて1,000万枚を超える規模に拡大、さらに24年には月産1,060万枚にま…

Written on 10月 19, 2021 at 9:55 AM, by global-admin

東京エレクトロンデバイス株式会社は、化合物半導体ウエハ表面の欠陥を高速、高感度で検出するマクロ検査装置「RAYSENS」を開発し、6月9日より販売を開始した。この検査装置は、5Gをはじめとする次世代通信インフラ、自動…

Written on 6月 16, 2020 at 11:32 AM, by global-admin