Tag Archives: パワー半導体

WolfspeedとGM、次世代EV向けSiCデバイスで提携

米Wolfspeed社（旧Cree社）と米General Motors（GM）社は2021年10月4日、GMの今後のEVに向けて、SiCデバイスおよびソリューションの開発と供給に関する戦略的な提携を結んだことを発表した。…

Written on 10月 12, 2021 at 10:33 AM, by global-admin

オランダの半導体メーカー、Nexperia社は2021年6月17日、欧州内のウエハFab（前工程工場）、アジアの組立工場、および世界各地の研究開発拠点において今後12〜15か月間で7億米ドルの投資を行うと発表した。新規…

Written on 6月 21, 2021 at 6:18 PM, by global-admin

三菱電機は2021年4月15日、パワーデバイスの開発拠点となる「開発試作棟」を福岡県のパワーデバイス製作所内に新設することを発表した。建築面積は約1,640m²、延床面積は約10,350m²。地上6階建てで、開発実験室…

Written on 4月 20, 2021 at 10:27 AM, by global-admin

オランダNexperia社と中国の自動車メーカ聯合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd : UAES）は2021年3月16日、GaNパワー半導体に関…

Written on 3月 22, 2021 at 6:14 PM, by global-admin