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Tag Archives: パワー半導体

パワー、化合物半導体の生産能力、23年に200mmウェーハ換算月産1,000万枚超へ

SEMIは2021年10月12日、全世界のパワーおよび化合物半導体工場の生産能力が、2023年に月産1,024万枚(200mmウェーハ換算)と初めて1,000万枚を超える規模に拡大、さらに24年には月産1,060万枚にま…

WolfspeedとGM、次世代EV向けSiCデバイスで提携

米Wolfspeed社(旧Cree社)と米General Motors(GM)社は2021年10月4日、GMの今後のEVに向けて、SiCデバイスおよびソリューションの開発と供給に関する戦略的な提携を結んだことを発表した。…

Nexperia、2021年/2022年に7億米ドルの投資を計画

オランダの半導体メーカー、Nexperia社は2021年6月17日、欧州内のウエハFab(前工程工場)、アジアの組立工場、および世界各地の研究開発拠点において今後12〜15か月間で7億米ドルの投資を行うと発表した。 新規…

三菱電機、パワーデバイスの開発試作棟を新設

三菱電機は2021年4月15日、パワーデバイスの開発拠点となる「開発試作棟」を福岡県のパワーデバイス製作所内に新設することを発表した。 建築面積は約1,640m²、延床面積は約10,350m²。地上6階建てで、開発実験室…

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