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神戸大学、SiC中の高密度窒素層のふるまいを理論計算で予測

神戸大学大学院工学研究科の小野倫也教授、植本光治助教、大学院生の小松直貴さんらと、北海道大学の江上喜幸助教らの研究グループは、第一原理計算に基づいたSiC中の高密度窒素層の構造モデルの提案を行った。 SiC（シリコンカー…

Written on 12月 14, 2021 at 12:23 PM, by global-admin

産業技術総合研究所（以下産総研）先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチームの中島昭主任研究員、原田信介研究チーム長は、ワイドバンドギャップ半導体であるGaN（窒化ガリウム）を用いた高電子移動度ト…

Written on 12月 14, 2021 at 10:48 AM, by global-admin

スイスSTMicroelectronics社とシンガポールの科学技術研究局（A*STAR）マイクロエレクトロニクス研究所(IME）は2021年11月25日、共同で電気自動車（EV）や産業分野向けのSiCデバイスについて、…

Written on 11月 30, 2021 at 10:11 AM, by global-admin

米Qorvo社は2021年11月3日、SiCパワー半導体メーカである米United SiliconCarbide(Unaited SiC）社を買収した。買収後は、United SiCをインフラ＆防衛向け製品(IDP）事業…

Written on 11月 9, 2021 at 10:25 AM, by global-admin