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Tag Archives: SiC

STマイクロ、8インチSiCバルクウエハを試作。

スイスの半導体大手STmicroelectronicsは、2021年7月27日、パワー半導体向けに8インチサイズのSiCバルクウエハを試作したことを発表した。 STMicroelectronicsの自動車およびディスクリ…

昭和電工、パワー半導体向けSiCエピウエハで独 Infineonと提携

昭和電工は2021年5月6日、独Infineon Technologies社との間にパワー半導体向けSiCエピタキシャルウエハに関する今後2年間(延長オプション付き)の長期販売および共同開発に関する契約を締結したことを発…

ホンダ、2040年までに新車を全てEV、FCVへ。

電動化はさらなる好況を半導体産業へ呼び込むか 自動車メーカーの本田技研工業は、2040年に販売する新車を全て非ガソリン車(EV、FCV)にするという戦略を、新社長の三部敏宏氏が23日の就任会見で明らかにした。ホンダは、ト…

関西学院大学と豊田通商、6インチSiCの欠陥をゼロにするプロセスを発表

関西学院大学 (理工学部 金子忠昭教授)と豊田通商は、SiC基板の欠陥{結晶の転位の一種である基底面転位(Basal Plane Dislocation―BPD)}を無害化する表面ナノ制御プロセス技術「Dynamic A…

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