産業技術総合研究所(以下産総研)先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチームの 中島 昭 主任研究員、原田 信介 研究チーム長は、ワイドバンドギャップ半導体であるGaN(窒化ガリウム)を用いた高電子移動度ト…
Written on 12月 14, 2021 at 10:48 AM, by global-admin
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Categories: GNCレター, 記事一覧
Tags: GaN, SiC, パワーデバイス, 化合物半導体
スイスSTMicroelectronics社とシンガポールの科学技術研究局(A*STAR)マイクロエレクトロニクス研究所(IME)は2021年11月25日、共同で電気自動車(EV)や産業分野向けのSiCデバイスについて、…
Written on 11月 30, 2021 at 10:11 AM, by global-admin
Tags: EV, SiC, STMicroelectronics
米Qorvo社は2021年11月3日、SiCパワー半導体メーカである米United SiliconCarbide(Unaited SiC)社を買収した。買収後は、United SiCをインフラ&防衛向け製品(IDP)事業…
Written on 11月 9, 2021 at 10:25 AM, by global-admin
Tags: SiC, パワー半導体
ロームと中国・正海集団有限公司(正海集団)は2021年10月21日、パワーモジュール事業に関する新会社設立に向けた合弁契約を締結した。新会社「上海海姆希科半導体有限公司/ HAIMOSIC (SHANGHAI) CO.,…
Written on 10月 25, 2021 at 6:39 PM, by global-admin
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