Tag Archives: SiC
東芝デバイス&ストレージ、次世代パワー半導体開発へ本腰
東芝デバイス&ストレージは、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「グリーンイノベーション基金事業/次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトにおいて、次世代パワー半導体デバイス製造技術…
ローム、8インチSiCデバイス開発がNEDO事業に採択
ロームは2022年2月25日、同社が提案した「8インチウエハを利用した次世代SiC MOSFET開発事業」が、、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)が公募していた「グリーンイノベーション基金事業…
Infineon、SiC、GaNデバイス強化に向けマレーシア工場にライン新設
独Infineon Technolgies社は2022年2月17日、SiC、GaNを利用したパワーデバイスの生産能力を増強するため、マレーシアKurim工場に200mmラインを新設する計画を発表した。投資額は20億ユーロ…
富士電機、SiCパワー半導体増産に向けてラインを増強へ
富士電機は2022年1月27日、パワー半導体の生産拠点の一つである富士電機津軽セミコンダクタに、SiCパワー半導体の増産に向けた設備投資を実施し、新ラインを増設することを発表した。新ラインは2024年度に量産を開始する計…