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Tag Archives: SiC

ローム、8インチSiCデバイス開発がNEDO事業に採択

ロームは2022年2月25日、同社が提案した「8インチウエハを利用した次世代SiC MOSFET開発事業」が、、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)が公募していた「グリーンイノベーション基金事業…

Infineon、SiC、GaNデバイス強化に向けマレーシア工場にライン新設

独Infineon Technolgies社は2022年2月17日、SiC、GaNを利用したパワーデバイスの生産能力を増強するため、マレーシアKurim工場に200mmラインを新設する計画を発表した。投資額は20億ユーロ…

富士電機、SiCパワー半導体増産に向けてラインを増強へ

富士電機は2022年1月27日、パワー半導体の生産拠点の一つである富士電機津軽セミコンダクタに、SiCパワー半導体の増産に向けた設備投資を実施し、新ラインを増設することを発表した。新ラインは2024年度に量産を開始する計…

神戸大学、SiC中の高密度窒素層のふるまいを理論計算で予測

神戸大学大学院工学研究科の小野倫也教授、植本光治助教、大学院生の小松直貴さんらと、北海道大学の江上喜幸助教らの研究グループは、第一原理計算に基づいたSiC中の高密度窒素層の構造モデルの提案を行った。 SiC(シリコンカー…

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