独Infineon Technolgies社は2022年2月17日、SiC、GaNを利用したパワーデバイスの生産能力を増強するため、マレーシアKurim工場に200mmラインを新設する計画を発表した。投資額は20億ユーロ…
Written on 2月 22, 2022 at 10:27 AM, by global-admin
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Categories: GNCレター, 記事一覧
Tags: GaN, infineon, SiC, 化合物半導体
富士電機は2022年1月27日、パワー半導体の生産拠点の一つである富士電機津軽セミコンダクタに、SiCパワー半導体の増産に向けた設備投資を実施し、新ラインを増設することを発表した。新ラインは2024年度に量産を開始する計…
Written on 2月 1, 2022 at 1:59 PM, by global-admin
Tags: SiC, 化合物半導体, 富士電機
神戸大学大学院工学研究科の小野倫也教授、植本光治助教、大学院生の小松直貴さんらと、北海道大学の江上喜幸助教らの研究グループは、第一原理計算に基づいたSiC中の高密度窒素層の構造モデルの提案を行った。 SiC（シリコンカー…
Written on 12月 14, 2021 at 12:23 PM, by global-admin
Tags: SiC, シミュレーション, 神戸大学
産業技術総合研究所（以下産総研）先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチームの 中島 昭 主任研究員、原田 信介 研究チーム長は、ワイドバンドギャップ半導体であるGaN（窒化ガリウム）を用いた高電子移動度ト…
Written on 12月 14, 2021 at 10:48 AM, by global-admin
Tags: GaN, SiC, パワーデバイス, 化合物半導体
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