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Tag Archives: SiC

昭和電工、SiCパワー半導体向け6インチ単結晶基板の量産を開始

昭和電工株式会社は、SiCパワー半導体に使用されるSiCエピタキシャルウエハ材料となる、6インチSiC単結晶ウエハの量産を開始したと発表した。同社では、これまでに品質向上や安定供給体制構築の一環としてSiCエピウエハ製造…

東芝デバイス&ストレージ、次世代パワー半導体開発へ本腰

東芝デバイス&ストレージは、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「グリーンイノベーション基金事業/次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトにおいて、次世代パワー半導体デバイス製造技術…

ローム、8インチSiCデバイス開発がNEDO事業に採択

ロームは2022年2月25日、同社が提案した「8インチウエハを利用した次世代SiC MOSFET開発事業」が、、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)が公募していた「グリーンイノベーション基金事業…

Infineon、SiC、GaNデバイス強化に向けマレーシア工場にライン新設

独Infineon Technolgies社は2022年2月17日、SiC、GaNを利用したパワーデバイスの生産能力を増強するため、マレーシアKurim工場に200mmラインを新設する計画を発表した。投資額は20億ユーロ…

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