Tag Archives: GaN

ローム、8Vゲート耐圧の150V GaN HEMT量産体制を確立

国内半導体大手のロームは2022年3月23日、基地局･データセンターをはじめとする産業機器や各種IoT通信機器の電源回路向けに、8Vまでゲート耐圧（ゲート・ソース定格電圧）を高めた150V耐圧GaN HEMT「GNE10…

Written on 4月 5, 2022 at 10:58 AM, by global-admin

東芝デバイス&ストレージは、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「グリーンイノベーション基金事業／次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトにおいて、次世代パワー半導体デバイス製造技術…

Written on 3月 22, 2022 at 3:22 PM, by global-admin

独Infineon Technolgies社は2022年2月17日、SiC、GaNを利用したパワーデバイスの生産能力を増強するため、マレーシアKurim工場に200mmラインを新設する計画を発表した。投資額は20億ユーロ…

Written on 2月 22, 2022 at 10:27 AM, by global-admin

産業技術総合研究所（以下産総研）先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチームの中島昭主任研究員、原田信介研究チーム長は、ワイドバンドギャップ半導体であるGaN（窒化ガリウム）を用いた高電子移動度ト…

Written on 12月 14, 2021 at 10:48 AM, by global-admin