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Tag Archives: GaN

ロームとDelta Electronics、パワーデバイスの戦略的パートナーシップを締結

日本の半導体大手ロームと、世界的な電源メーカーである台湾Delta Electronics社(Delta)は2022年4月27日、化合物半導体GaNパワーデバイスの開発・量産における戦略的パートナーシップを締結したことを…

ローム、8Vゲート耐圧の150V GaN HEMT量産体制を確立

国内半導体大手のロームは2022年3月23日、基地局・データセンターをはじめとする産業機器や各種IoT通信機器の電源回路向けに、8Vまでゲート耐圧(ゲート・ソース定格電圧)を高めた150V耐圧GaN HEMT「GNE10…

東芝デバイス&ストレージ、次世代パワー半導体開発へ本腰

東芝デバイス&ストレージは、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「グリーンイノベーション基金事業/次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトにおいて、次世代パワー半導体デバイス製造技術…

Infineon、SiC、GaNデバイス強化に向けマレーシア工場にライン新設

独Infineon Technolgies社は2022年2月17日、SiC、GaNを利用したパワーデバイスの生産能力を増強するため、マレーシアKurim工場に200mmラインを新設する計画を発表した。投資額は20億ユーロ…

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