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東芝デバイス&ストレージ、次世代パワー半導体開発へ本腰

東芝デバイス&ストレージは、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「グリーンイノベーション基金事業／次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトにおいて、次世代パワー半導体デバイス製造技術…

Written on 3月 22, 2022 at 3:22 PM, by global-admin

独Infineon Technolgies社は2022年2月17日、SiC、GaNを利用したパワーデバイスの生産能力を増強するため、マレーシアKurim工場に200mmラインを新設する計画を発表した。投資額は20億ユーロ…

Written on 2月 22, 2022 at 10:27 AM, by global-admin

産業技術総合研究所（以下産総研）先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチームの中島昭主任研究員、原田信介研究チーム長は、ワイドバンドギャップ半導体であるGaN（窒化ガリウム）を用いた高電子移動度ト…

Written on 12月 14, 2021 at 10:48 AM, by global-admin

日本製鋼所（JSW）と三菱ケミカルホールディングスは、共同でGaN単結晶基板の量産実証設備を日本製鋼所M&E株式会社室蘭製作所内に建設、2021年5月18日に竣工した。同年6月から100mm径（4インチ）のGaN…

Written on 6月 21, 2021 at 6:20 PM, by global-admin