韓国・釜山市は6月2日、韓国の窒化ガリウム(GaN)素材パワー半導体メーカーであるBTOGと生産施設建設に関する投資、および日本のオキサイド社と技術支援に関する投資の了解覚書(MOU)を締結した。協定式には、イ・ソングォン釜山市経済副市長とシン・ジョンフンBTOB代表理事、オキサイドの古川保典代表取締役が参席した。

BTOG社は2009年12月に設立され、SiCよりも電力変換効率が良く、小型軽量化が可能なGaN素材半導体を専門的に扱っている。一方のオキサイド社は光学単結晶を製造しており、半導体検査装置向けの結晶は世界シェアの95%を占めている。

この協定によりBTOG社は、釜山近郊の機張郡に建設中の東南圏放射線医科学産業団地内に2025年までに面積1万5,000m²規模のGaN素材半導体工場を設立する予定である。また、2028年までに2,000億ウォンを投資してオキサイド社の技術支援を受け、GaNパワー半導体の量産化を目指していく。

また、50余名の新規人材を雇用する予定であり、特に釜山地域の優秀な人材を最優先して雇用するとしている。