GAA

Samsung Electronics、2027年までに1.4nmプロセスの量産開始

韓Samsung Electronics社は2022年10月4日、2027年までに1.4nmプロセスによる量産を開始することを発表した。同社は既に3nmプロセスでの量産を開始し、2025年に2nmプロセスでの生産を開始す…

Written on 10月 11, 2022 at 10:07 AM, by global-admin

韓国Samsung Electronics社は2022年6月30日、3nmノードプロセス（以下3nm）によりGAA（Gate-All-Around）アーキテクチャ・トランジスタ構造を持つ製品の製造を開始したことを発表した…

Written on 7月 5, 2022 at 10:51 AM, by global-admin

半導体売上でIntelから世界一を奪還した韓国のSamsung Electronicsだが、最先端プロセスの歩留まり率では、台湾のTSMCとの差はまだまだあるようだ。同社では「MBCFET（Multi Bridge C…

Written on 4月 19, 2022 at 11:47 AM, by global-admin

韓国Samsung Electronics社は2021年10月7日に開催された「Samsung Foundry Forum 2021」において、3nm、2nmの量産時期の見通しを公表した。同社では3nm以降の微細トランジ…

Written on 10月 12, 2021 at 10:38 AM, by global-admin