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Tag Archives: GAA

Samsung、3nmプロセスでのGAA構造デバイスの製造を開始

韓国Samsung Electronics社は2022年6月30日、3nmノードプロセス(以下3nm)によりGAA(Gate-All-Around)アーキテクチャ・トランジスタ構造を持つ製品の製造を開始したことを発表した…

Samsung、最新プロセスにおける歩留まりで苦戦か

半導体売上でIntelから世界一を奪還した韓国のSamsung Electronicsだが、最先端プロセスの歩留まり率では、台湾のTSMCとの差はまだまだあるようだ。 同社では「MBCFET(Multi Bridge C…

Samsung Electronics、3nm、2nmプロセスの量産時期を公表

韓国Samsung Electronics社は2021年10月7日に開催された「Samsung Foundry Forum 2021」において、3nm、2nmの量産時期の見通しを公表した。同社では3nm以降の微細トランジ…

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