韓国Samsung Electronics社は2022年6月30日、3nmノードプロセス（以下3nm）によりGAA（Gate-All-Around）アーキテクチャ・トランジスタ構造を持つ製品の製造を開始したことを発表した。Samsungでは今回採用したナノシートによるGAA構造をMulti-Bridge-Channel FET（MBCFET）と名づけており、今回が初めての量産応用となる。高性能・低消費電力コンピューティング用途向けのデバイスの製造からはじめ、モバイル・プロセサに適用範囲を広げていく。
今回製造するデバイスでは、電源電圧レベルを引き下げることにより、電力効率を向上させ、消費電力を45％低減（5nmプロセス製品比）している。また、駆動電流を上げることにより性能を23％高めている（同）。さらにチップ面積は16％減少している。
第2世代の3nmプロセスの開発も進めており、それを応用することで性能を30％引き上げ（同）、消費電力を50％削減(同）、面積は35％小型化（同）が実現できるようになるとしている。
Samsungのファンドリ事業のトップであるDr.Sivouna　Choi氏は「Samsungのファンドリビジネスは、高誘電率メタルゲート、FinFET、EUVといった新しい技術を積極的に導入することで急速に業績を拡大してきた。今回の3nmプロセスとMBCFETの導入もその一貫であり、業界を先導していく」としている。

この3nmプロセス及び、GAAプロセスの量産は世界初であり、TSMCを先行する形となった。しかし、一部ではSamsungの先端プロセスの歩留まり率の悪さを指摘する声もあり、今後は歩留まりの改善を進めることが、Samsung ファウンドリの先端プロセスにおけるシェア向上につながる。