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SK Hynix、世界初の321層NANDフラッシュメモリを量産開始

韓国・SK Hynixは11月21日、世界初となる321層のNAND型フラッシュメモリの量産を開始したと発表した。（写真）TLC(Triple Level Cell)方式で容量は1Tb(テラビット)。2025年上半期の供…

Written on 11月 26, 2024 at 9:51 AM, by global-admin

韓SK Hynixは9月26日、12層のHBM3E製品の量産を開始したと発表した。DRAMチップをこれまでよりも40%薄くしたことで、既存の8段HBM3E製品と同じ厚さながら、容量は既存の24GBから36GBに増加した。…

Written on 9月 30, 2024 at 6:41 PM, by global-admin

韓SK Hynixは7月25日、2024年第2四半期(4月〜6月)の業績を発表した。売上高は前期比32%増、前年同期比125%増の16兆4,230億ウォンとなり、四半期として過去最高を記録した。営業利益は前期比89%増の…

Written on 7月 30, 2024 at 2:40 PM, by global-admin

韓国・SK Hynixは6月30日、2028年までの5年間で半導体事業に総額103兆ウォン（約12兆円）を投資すると発表した。そのうちの約8割、82兆ウォンがHBMをはじめとするAI向けメモリ事業に充てられるという。AI…

Written on 7月 8, 2024 at 6:59 PM, by global-admin