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東芝、SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発

東芝デバイス＆ストレージは2020年7月30日、SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発したことを発表した。今回の技術は、MOSFETの内部にショットキーバリアダイオード（SBD）を搭載した構造を特徴と…

Written on 8月 4, 2020 at 9:39 AM, by global-admin

ロームと中国Leadrive Technology (Shanghai) 社は2020年6月23日、中国（上海）自由貿易区試験区臨港新区に「SiC技術共同研究所」を開設した（2020年6月9日に除幕式を実施）。 Lead…

Written on 6月 29, 2020 at 6:47 PM, by global-admin

ロームは2020年6月17日に、主機インバータをはじめとする車載パワートレインシステムや産業機器向け電源に最適な「1200V 第４世代SiC MOSFET」を開発したことを発表した。今回開発した新製品は、独自のダブルトレ…

Written on 6月 23, 2020 at 10:54 AM, by global-admin