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Tag Archives: DRAM

サムスン、EUVを活用した一秒に1.1TBを転送可能な次世代メモリを開発

韓国のサムスン電子は、2022年7月14日、業界初の16GbGDDR6規格のグラフィックボード用DRAMを開発したことを発表した。このDRAMは、業界初となる24Gbps転送に対応している。また、EUV露光によって、10…

台 Nanya Technology、新工場に着工

台湾のDRAMメーカーであるNanya Technology社は2022年6月23日、新台北市の泰山南林科技園(Nanlin Technology Park)で新しい半導体工場の起工式を行った。 新工場は300mmウエハ…

米マイクロン、1β世代DRAMを広島で量産へ

米メモリ大手のマイクロン・テクノロジーはDRAMの先端品「1β」を年内に広島工場で量産することを同社CBOのスミット・サダナ氏が日経新聞のインタビューで回答した。1β品は10nm台前半のプロセスノードが用いられるが、マイ…

Samsung Electronicsの半導体事業、22年度1Qは前年比39%増

半導体世界最大手の韓国Samsung Eletronics社は2022年4月29日、2022年度第1四半期(2022年1月〜3月)業績を発表した。同期の全社業績は売上高が77兆7,800万ウォン(7兆9,367億円)で、…

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