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Tag Archives: 3DNAND

米、サムスン・SKを対象に半導体装置輸出規制を緩和

韓国大統領室の崔相穆(チェ・サンモク)経済首席秘書官は9日、米政府がサムスン電子とSKハイニックスの中国工場を「検証済みエンドユーザー」(VEU)に指定したことにより、別途の手続きなしで米国製の半導体製造装置の供給が可能…

キオクシア、最新の218層3D NAND型フラッシュメモリを発表

キオクシアと米Western Degital(WDC)社は2023年3月30日、最新の218層3次元フラッシュメモリを発表した。 両社では、複数の独自プロセスやアーキテクチャを導入することで平面方向のスケーリングを可能に…

韓Samsung、236層の3D-NANDフラッシュメモリを量産開始

DRAMの世界最大手である韓Samsung電子は、11月7日に、第8世代のNANDフラッシュメモリとなる「V-NAND」の量産を開始したことを発表した。このメモリは236層の3D-NAND構造を有しており、容量はついに1…

キオクシア、NAND型フラッシュメモリ向けウエハ投入量を3割減

キオクシアは2022年9月30日、四日市工場と北上工場において、10月から当面、ウエハ投入量の約3割を削減する生産調整を行うことを発表した。これは2012年東芝時代以来の減産規模となる。 需要動向に沿って生産調整を実施す…

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