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住友電工、世界最高の高出力密度を実現したGaN HEMTを開発

住友電工は11月17日、新規結晶技術を用い、従来比で2倍となる高出力密度を実現した窒化ガリウムトランジスタ(GaN HEMT)を開発したと発表した。これによって、ポスト5G(第5世代移動通信)基地局向け増幅器の小型化と高…

レゾナック、米先端半導体コンソーシアム「TIE」に米国以外のメーカーとして初の参加へ

国内半導体材料大手のレゾナックは11月22日、米国・テキサス州にある半導体コンソーシアム「Texas Institute for Electronics」(TIE)に戦略パートナーとして参画することを発表した。これは、米…

韓国・SAPEONがデータセンター用AI半導体の新製品を発表

韓国・SKグループの系列会社でAI半導体設計を専門に扱うSAPEONは11月16日、データセンター用AI半導体の新製品「X330」を発表した。AI推論に特化したNPU(Neural network Processing …

三菱電機、蘭半導体メーカーNexperiaとSiCパワー半導体共同開発へ

三菱電機は11月13日、オランダの半導体メーカー、Nexperiaとパワーエレクトロニクス市場向けSiCパワー半導体の共同開発に向けた戦略的パートナーシップに合意したと発表した。三菱電機は同社の強みである化合物半導体技術…

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