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ルネサスエレクトロニクスは6月20日、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体を手掛ける米・Transphormの買収を完了し、完全子会社化したと発表した。買収金額は3億3900万ドル（約537億円）。これによりルネサスはGa…

米半導体大手、Intelは6月18日、3nm相当のプロセスである「Intel 3」での大量生産を開始したと明らかにした。同社は2021年から、4年間で5つのプロセスノードを開発する「5N4Y」という目標を掲げており、既に…

6月17日、米Googleが2025年にリリース予定であるスマートフォン「Google Pixel 10」シリーズに搭載されるチップセット「Tensor G5」が台湾・TSMCの3nmプロセスノードを採用する可能性が高い…

セミナー概要 SiCは高い絶縁破壊電界強度、ワイドバンドギャップ、低イオン抵抗、高い熱伝導率等の半導体材料として優れた特性を持つため、SiCパワー半導体は高効率と小型が求められるEV、電車、再生可能エネルギーの電力変換、…