セミナー概要

SiCは高い絶縁破壊電界強度、ワイドバンドギャップ、低オン抵抗、高い熱伝導率等の半導体材料として優れた特性を持つため、SiCパワー半導体は高効率と小型が求められるEV、電車、再生可能エネルギーの電力変換、更にはインフラ機器、家電、医療機器に適用が拡大され、今後のSDGｓを支える電子デバイスとなることが期待されています。そしてSICパワー半導体の2035年市場規模は5兆3000億円を超え、パワー半導体市場の約40％を占めるまで成長する予測されています。
一方で、大直径ウェハにおける欠陥制御、陥密度低減に代表される製造上の課題も未だ残っており、製造コストが普及拡大の障害となっていることも見逃せません。
今回のセミナーは、このSiCパワーデバイスの市場、デバイス開発、ウェーハ製造の観点からそれぞれの専門家から最新の状況を語っていただきます。

【講師紹介】

第一部：鈴木 寿哉　氏
（インフォーマインテリジェンス合同会社 Omdia テクノロジー部門・プリンシパルコンサルタント）

 富士通電子デバイス部門で新規プロセス開発、東芝とのDRAM共同開発プロジェクト参加、富士通のフアンドリ、ASICのマーケティングと営業をへて富士通電子デバイスASIC事業部長代理からSocionext（富士通とパナソニックの合弁）へ転社後、ハイパフォーマンスカスタムSoC事業部長として北米駐在を1年。その後中国上海公司にてアジアパシフィックの董事長を経験し、帰国してから購買とサプライチェーンを総括し供給問題に対応。2022年4月より現職。

第二部：今泉 昌之 氏（三菱電機株式会社　パワーデバイス製作所 開発部）

1988年 京都大学大学院 工学研究科修士課程修了。同年、三菱電機株式会社に入社。
1998年 京都大学博士（工学）
入社以来、化合物半導体デバイス（光デバイス、パワーデバイス）の研究開発に従事。
現在、同社パワーデバイス製作所にて、SiCパワーデバイスの製品化開発に従事。

第三部：浅野 宏 氏
（株式会社フジミインコーポレーテッド　シリコン事業本部 シリコン開発部 半導体新規事業課　主幹）

1999年 株式会社フジミインコーポレーテッド　入社
以来、半導体分野、非半導体分野の各種研磨材の開発に従事。
2022年からSiC基板用研磨剤の開発リーダーを務める。

開催日時

 2024年8月2日（金）13:00〜17:00

開催場所

 ハイブリッド
【会場】連合会館（新御茶ノ水駅 徒歩0分）
【オンライン】zoom

定員

 会場 ：30名
オンライン：200名

受講料

 個人参加（会場/オンライン）：30,800円（税込み）
5名までのグループ参加（オンラインのみ）：63,800円（税込み）

プログラム

 

時間

セミナー内容（一部変更する場合がございます）

13:05~14:35

「半導体市況の変化からみる今後の展望

　　　　　　　　　　　　　　　　– SiCデバイスの現状と課題」

講師：鈴木 寿哉 氏（Omdia）

  1. 半導体市況の変化
  2. 半導体市場をとりまく地政学リスク
  3. 今後の展望と、SiCデバイスの現状と課題

14:35〜15:35

「SiCパワーMOSFET開発の現状と展望」

講師：今泉 昌之 氏（三菱電機株式会社）

SiCデバイスの種々のシステムへの適用が進められている。今後、さらに大きな市場へのSiCデバイスの適用には、特にSiC パワーMOSFETの性能向上、高信頼化が必要である。
本講演では、三菱電機における結果を中心に、SiC MOSFETの開発の現状を報告し、併せて今後の展望について述べる。

15:35〜15:50

休憩

15:50〜16:50

「SiC基板研磨の課題とその解決に向けた取り組み」

講師：高見 信一郎 氏（株式会社フジミインコーポレーテッド）

・SiC研磨の概要
・SiC研磨における課題
・課題解決に向けた取り組み

◇お申込後、弊社より請求書をお送りいたします。御社の支払いサイクルに沿う形でお支払いをお願い致します。

◇開催７日前以降のキャンセルはお受けいたしかねますのでご了承ください。
（申し込まれた方がご都合の悪い場合は、代理の方がご出席ください）