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Tag Archives: BSPDN

KOKUSAI ELECTRIC、横浜国立大学との共同研究により次世代3D半導体デバイスの省エネルギー化に貢献する新規膜とその接合プロセスを実証

KOKUSAI ELECTRICは2025年6月2日、横浜国立大学総合学術高等研究院 半導体・量子集積エレクトロニクス研究センター ヘテロ集積研究拠点長 井上史大准教授とそのチームとの共同研究により、高熱伝導な新規接合材…

TSMC、2026年量産開始予定の1.6nmプロセスノードの詳細を発表。GAAとBSPDNを採用

半導体受託生産世界最大手の台湾・TSMCは4月24日、「A16」と呼ばれる新しいプロセスの詳細を発表した。 同社では現在、3nmプロセスの拡張版である「N3E」の量産を進めており、2025年度後半には2nmプロセス「N2…