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Tag Archives: パワー半導体

佐賀大学、世界初のダイヤモンド半導体パワー回路を開発

国立大学法人 佐賀大学の理工学部 嘉数研究室は、2023年4月17日、世界初のダイヤモンド半導体デバイスのパワー回路を開発したことを発表した。佐賀大学によると、ダイヤモンドは、これまでのGaNやGaAs、InPと比較して…

STMicro、ZFとインバータ向けSiCパワーデバイスの供給契約を締結

SiCパワーデバイス製造世界最大手である、スイスのSTMicroelectronicsは、4月13日、ドイツの自動車メガサプライヤーであるZFと2025年からインバータモジュール向けのSiCパワーデバイス供給契約を締結し…

FLOSFIA、世界初のアンペア級・1700V耐圧級のコランダム型酸化ガリウムSBD開発に成功

京大発の酸化ガリウムデバイスの量産を目指す企業、FLOSFIA(フロスフィア)は、同社の独自技術であるミストドライ法®(霧状の原材料を投入し、加熱して気化後、ガス状態で化学反応を行う成膜法)で作成した、高品質膜を用いて、…

Infineon、レゾナック、SiCの供給・協力関係を拡大

独Infineon Technologies社とレゾナック・ホールディングス(旧昭和電工)は2023年1月12日、パワー半導体に使用するSiCエピタキシャルウェーハ(以下SiCエピウェーハ)の複数年の供給・協力に関する契…

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