産業技術総合研究所（以下産総研）先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチームの 中島 昭 主任研究員、原田 信介 研究チーム長は、ワイドバンドギャップ半導体であるGaN（窒化ガリウム）を用いた高電子移動度ト…
Written on 12月 14, 2021 at 10:48 AM, by global-admin
No Comments
Categories: GNCレター, 記事一覧
Tags: GaN, SiC, パワーデバイス, 化合物半導体
昭和電工は2021年9月28日、東芝デバイス＆ストレージ（以下、東芝D＆S）との間にパワー半導体向けSiCエピタキシャルウェ−ハ（以下、SiCエピウェーハ）に関する、今後2年半(延長オプション付き)にわたる長期供給契約を…
Written on 10月 5, 2021 at 10:05 AM, by global-admin
Tags: SiC, パワーデバイス, 昭和電工
Newer Entries »