韓国・SK Hynixは11月21日、世界初となる321層のNAND型フラッシュメモリの量産を開始したと発表した。（写真）TLC(Triple Level Cell)方式で容量は1Tb(テラビット)。2025年上半期の供給開始を予定している。

同社は「2023年6月に世界で初めて238層製品を量産を達成」しており、「今回、300層を超える製品も最も早く導入し、技術のブレークスルーを達成した」としている。

同社は今回の製品開発過程で、生産効率の高い「3プラグ」プロセス技術を導入し、積層技術のブレークスルーを達成した。この技術は3回にわたってプラグ工程を行った後、最適化されたフォローアップ工程を経て、3つのプラグを電気的に連結する方式である。この過程で低変形(Low Stress)素材を開発してプラグ間のアラインメントの自動補正技術を導入したという。また、238層の開発プラットフォームを321層製品にも適用し、プロセスの変化を最小化したことにより、生産性を従来比で59%向上させることに成功したという。

新製品は従来品と比べて、データの転送速度は12%、読み込み性能は13%向上した。データ読み込みの際の電力効率も10%以上改善されたという。

同社のチェ・チョンダル副社長(NAND開発担当)は「当社は300層以上のNAND量産に最も先に突入し、AIデータセンター用のSSD、オンデバイスAIなどのAIストレージ市場を攻略するのに有利な立場を占めることになった」とし、「これを通して当社はHBMに代表されるDRAMはもちろんのこと、NANDでも超高性能メモリのポートフォリオを完璧に持ったフルスタックのAIメモリプロバイダとして跳躍していく」と述べ、新製品への大きな期待を示した。

同社は321層製品により、AI向け低電力高性能新規市場にも積極的に対応し、活用範囲を徐々に広げていく計画である。

NAND市場では積層技術の競争が激しくなっている。競合するサムスン電子は今年4月に280~290層の1Tb TLC 9世代V NANDの量産を開始した。セルの大きさとモールドの厚さは業界最小で、従来製品と比べてビット密度を約1.5倍増加させたものである。また、米マイクロンも今年7月に276層 9世代 3D NANDを発表している。今後、2025年には400層、2027年には1,000層NAND時代が到来するという展望であり、積層技術競争はさらに激化していきそうだ。

出典：SK Hynix News Room