韓国科学技術院（KAIST）は2023年1月18日、“負のキャパシタンス”効果（Negative Cpacitance）を利用したフラッシュメモリを開発したことを明らかにした。 NC効果を持つ強誘電体薄膜を使用することで…
Written on 1月 24, 2023 at 10:36 AM, by global-admin
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