韓国科学技術院（KAIST）は2023年1月18日、“負のキャパシタンス”効果（Negative Cpacitance）を利用したフラッシュメモリを開発したことを明らかにした。
NC効果を持つ強誘電体薄膜を使用することで低電圧動作が可能となり、消費電力を抑えることができることがわかっている。

今回、KAISTの研究チームはHfO2強誘電体薄膜のNC効果を安定させ、低電圧駆動が可能なフラッシュメモリを開発した。開発品は電力消費を従来のフラッシュメモリの1万分の1に抑えている。

なお、今回の開発は延世大学と共同で行われた。