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KAISTがNC効果を利用したフラッシュメモリを開発
韓国科学技術院(KAIST)は2023年1月18日、“負のキャパシタンス”効果(Negative Cpacitance)を利用したフラッシュメモリを開発したことを明らかにした。 NC効果を持つ強誘電体薄膜を使用することで…
韓国科学技術院(KAIST)は2023年1月18日、“負のキャパシタンス”効果(Negative Cpacitance)を利用したフラッシュメモリを開発したことを明らかにした。 NC効果を持つ強誘電体薄膜を使用することで…