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Tag Archives: 国内半導体

Rapidus、IIM-1にて2nmノード GAAトランジスタの試作に成功

先端半導体の国産化を目指すRapidusは7月18日、北海道千歳市に位置する生産拠点「IIM-1」において、2nm GAA(ゲートオールアラウンド)トランジスタの試作に成功したと発表した。同日開かれた記者会見ではウエーハ…

日本政府、Rapidusへ2025年にも2,000億円を追加出資へ

政府が次世代半導体の量産を目指すRapidusに対し、2025年度に新たに2,000億円を出資する方針を固めたことが11月20日、わかった。これまでに研究開発などで合計9,200億円の補助金を決めていたが、出資により経営…

Rapidusにトヨタとデンソーが追加出資、1,000億円の資金調達に目処

先端半導体の国産化を目指すRapidusに対し、株主のトヨタ自動車とデンソーが追加出資を検討していることが10月17日、明らかになった。これにより、既存株主8社すべてが追加出資する意向を示したことになり、当面の目標であっ…

キオクシア、10月の上場を延期へ、より株価が高値となる時期を探る

9月24日、半導体メモリ大手のキオクシアホールディングスが、10月に予定していた東京証券取引所への上場を延期する方針を固めたことがわかった。現状の市場環境では株式公開をしても、上場時の目標としていた時価総額1兆5,000…

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