スイスのパワー半導体大手、STMicroelectronicsは5月31日、完全統合型の200mmSiC製造施設を同社の拠点があるイタリア・カターニャに建設すると発表した。投資総額は約50億ユーロとなる見込みで、欧州半導体法の枠組みにおいてイタリア政府から約20億ユーロが助成される予定。

同施設では、既にSiCウエハの製造施設が建設中となっているが、そこにさらにテスト工程並びにパッケージング工程といった後工程の拠点も建設されることになる。これにより、ウエハからデバイスまで垂直統合で製造される「Silicon Carbide Campus」が形成されることになる。

同社はこのSilicon Carbide Campusを自動車、産業、クラウド・インフラなど、SiC製品を使用する各分野の顧客による電動化への移行や高効率化をサポートするための重要なマイルストーンとし、同社のグローバルなSiCエコシステムの中心に据える計画。SiCウエハ開発、エピタキシャル成長工程、8インチウエハ前工程、モジュール組立工程を含む製造フロー全工程に加え、プロセス研究開発、製品設計、チップ/パワーシステム/モジュール用の先端研究開発ラボ、及び完全なパッケージング工程を統合するとしている。

同社の社長兼最高経営責任者（CEO）であるJean-Marc Chery氏は、「カターニャのSilicon Carbide Campus が実現する完全に統合化された能力は、今後数十年にわたり、自動車および産業分野のお客様に対する、STのSiC技術のリーダーシップ強化に大きく貢献するだろう」と述べ、大きな期待を寄せた。

同施設は2026年に生産を開始し、2033年までのフル稼働を目指す。フル稼働時には最大で週に8インチウエハを15,000枚生産する計画である。

出典：STMicroelectronics　ニュースルーム