SiCエピタキシャルウエハ世界最大手である、レゾナックは、現在量産中の第2世代ハイグレードエピウエハの品質を更に改善した第3世代ハイグレードエピウエハを開発し、量産を開始したと発表した。

高価格帯のEVや鉄道向けなどで使われるハイエンド向けのパワー半導体は、高出力化と省スペース化を両立するために、デバイスに流れる電流密度を上げることが求められているが、高い電流密度を実現するには、SiC基板中に存在する欠陥が拡張することを防げるかどうかが、技術的な課題だった。レゾナックでは新構造のエピタキシャル技術を用いることでこの課題を解決し、第3世代のハイグレードエピウェハーとして量産を開始した。

レゾナックでは、SiCエピタキシャルウエハ世界最大手として、独Infineon Technologies、ローム、東芝デバイス&ストレージといったパワーデバイスメーカーと長期供給契約を締結している。