韓Samsung Electronicsは、2022年8月19日、韓国の器興（キフン）キャンパスに2028年までに20兆ウォン（約2兆円）を投じ、メモリ及びロジックデバイスの新たなウエハ製造プロセスの先進的な研究開発を行う施設を建設することを発表し、19日に起工式が行われた。

この施設は、Samsungとしても、歴代最大規模の敷地面積10万9,000m²を持つ。2025年から半導体R&D専用ラインは稼働を開始する予定。ギフンキャンパスは、サムスン半導体を世界1位に引き上げた技術開発の場とされ、新施設で新素材やプロセスに関する研究が集中的に行われると見込まれる。次世代のＥＵＶ露光装置など最先端の設備を早期に導入して試験ラインに適用する一方、国内外の素材・装備・部品分野の協力会社とのＲ＆Ｄ連携も拡大されると見られる。

Samsungは、6月に世界で初めて3nmの量産に成功したが、依然として歩留まりの安定化と顧客の拡大に課題が残っている。 また、メモリではライバルのSKハイニックスが「業界最高層」となる238段の次世代NANDフラッシュメモリを開発しており、再び「トップ」の技術を取り戻す必要がある。

また、同社の李副会長は贈賄罪によって有罪判決を受けたあと、8月15日に大統領恩赦を受けて以降、久々に姿を表し、施設の起工式において、「40年前に最初の半導体工場の建設に着工したこの場所から、新たな挑戦に乗り出す」と力を込めた。