サムスン電子は、Pyeongteaekに建設中のV2ラインが稼働を開始したと、30日に明らかにした。
今回出荷された製品はEUV露光を利用した3世代10nm級のLPDDR5モバイルDRAMとされ、この製品は既存のDRAMと比較して処理速度が16%向上したとされる。

サムスンは今後はこのラインで、5nmプロセスを採用したDRAMを量産していく予定で、2021年下半期から本格稼働をする計画とされる。