ロームは2020年6月17日に、主機インバータをはじめとする車載パワートレインシステムや産業機器向け電源に最適な「1200V 第４世代SiC MOSFET」を開発したことを発表した。今回開発した新製品は、独自のダブルトレンチ構造を進化させることで、短絡耐量時間を犠牲にすることなく、従来品と比べ単位面積当たりのオン抵抗を約40％低減することに成功している。
さらにスイッチング時の課題となっていたゲートドレイン間の寄生容量（Cgd）を大幅に削減、従来品と比べスイッチング損失を約50％削減することに成功した。今回の新製品は6月からベアチップでのサンプル提供を順次開始しており、今後、ディスクリートパッケージでのサンプル提供を予定している。