レゾナックと東北大学は2025年7月8日、シリコンウエーハの製造過程で発生する廃棄物(シリコンスラッジ)と二酸化炭素(CO₂)を原料とした炭化ケイ素(SiC)パワー半導体材料を作製するための研究を共同で行うと発表した。

両者は2024年からシリコンスラッジとCO₂を原料としたSiC粉末を、パワー半導体に用いるSiC単結晶の成長用原料として応用するための基礎研究を開始。シリコンスラッジとCO₂をマイクロ波で加熱することによりSiC粉末を合成し、それをSiC単結晶基板へと応用するプロセスを開発した。

今回、その基礎検討段階が完了したため、応用に向けた本格検討に入ることとなった。なお、使用するCO₂の由来については特に限定はしていないが、一定以上の純度が必要になるとみられる。

この技術が実用化できれば、SiCパワー半導体は製品として省エネルギー化に貢献するだけでなく、製造工程においてもCO₂排出量削減、シリコンスラッジおよびCO₂の再資源化が同時に実現し、ライフサイクル全体で環境負荷を低減することが可能になる。CO₂に関しては、SiC粉末100トンあたりのCO₂削減効果が110トン相当に達すると見積もられている。

東北大学 大学院工学研究科の福島潤助教はこの技術について、「安定気体のCO₂を低エネルギーで高純度SiCに変換できる点が最大の特長で、廃棄物問題と温室効果ガス削減を一挙に解決する」と期待した。

出典：レゾナック　ニュースリリース