富士フイルムは2025年7月15日、先端半導体の製造プロセス向けに、環境や生態系への影響が懸念される有機フッ素化合物(PFAS)を一切使用しないフォトレジストを開発したと発表した。ネガ型ArF液浸露光向けで、車載や産業用半導体など幅広く使われる28nm世代の金属配線を高い歩留まりで形成できるという。

従来のArF液浸露光向けフォトレジストでは、回路パターン描画時に酸を効率よく反応させるほか、レジスト表面の撥水性を持たせるためにPFASが用いられてきた。ところが、環境や生態系への有害性から、現在、PFAS使用への規制が各国で進んでいる。同社はこの動きを受け、PFASを使用しない半導体材料の開発に着手。これまでに高純度有機溶剤を用いたNTI（Negative-Tone-Imaging）現像液やPFASフリーのナノインプリントレジストを開発してきた。

同社は今回、有機合成技術、素材の配合技術（処方技術）、解析技術を用い、PFASフリーのネガ型ArF液浸レジストを開発。回路パターンの形成における優れた酸反応効率や、先端のArF液浸露光時の水残りを低減する高い撥水性を実現した。

同社は同製品についてベルギーに本部を置く先端半導体の国際研究機関imecとともに性能評価を実施。28nm世代の微細な金属配線を、高い歩留まりと高スループットで形成できることを実証したという。

今後、同社では同製品について、顧客先での評価を経て、早期の販売を目指すとしている。