韓国の半導体製造装置大手であるHanmi Semiconductorは2025年7月4日、次世代HBM(高帯域幅メモリ)である「HBM4」向けのボンディング装置「TCボンダ4」の生産を開始したと発表した。下半期から本格的な供給を開始する予定である。

新装置は「HBM4」の特性に合わせ、これまでの製品よりも精密度を大幅に向上させたことにより、DRAMを積層するHBMの構造的な安定性を高めることができるという。また、ソフトウェア機能をアップグレードすることで、使用者の利便性も向上させたという。

同社は次世代技術であるフラックスレスやハイブリッドボンダなどの導入なしで「HBM4」の生産が可能になるという点を強調する。高コストな次世代技術を使用せず、既存のTCボンダの性能を大幅に改善し、新たな接合技術を適用したことにより、コストを抑えることに成功したとしている。

同社の関係者は新装置について、「グローバルメモリ企業のHBM4の量産計画に隔てなく対応できるよう、大量生産システムを構築した」とし、「今回のHBM4専用装置の供給を通して、グローバルAI半導体市場で先導的な地位を維持する」と強調した。

同社は6月に「TCボンダ4」を専門的に扱う担当チーム「シルバーフェニックス」を立ち上げ、顧客の技術的要求や装置の維持保守などに迅速に対応できるようにした。加えて、来年までにTCボンダの生産能力を約2兆ウォン規模に引き上げる計画を掲げており、次世代HBM向けの市場の攻略への動きを進めている。

出典：Hanmi Semiconductor News