大日本印刷(DNP)は12月12日、極端紫外線(EUV)リソグラフィに対応した、2nm世代以降のロジック半導体向けフォトマスクに要求される微細パターンの解像に成功したと発表した。また、2nm世代以降向けに適用が検討されている高開口数(NA)に対応したフォトマスクの基礎評価が完了し、半導体開発コンソーシアムや製造装置メーカー、材料メーカーなどへ評価用フォトマスクの提供を開始したことも明らかにした。

近年、最先端のロジック半導体ではEUVリソグラフィによる量産が進み、メモリ半導体においてもその採用が拡大するなど、最先端半導体の供給にEUVリソグラフィが欠かせないものとなっている。同社は2023年に3nm世代のEUVリソグラフィ向けフォトマスクの製造プロセス開発を完了、2024年にはRapidusの参画する国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」に再委託先として参画し、最先端ロジック半導体向けフォトマスク製造プロセスおよび保証にかかわる技術を開発している。

今回同社は、2nm世代以降のロジック半導体向けフォトマスクに要求される微細パターンを、EUVリソグラフィ向けフォトマスクへの解像に成功した。3nm世代に比べ、20%以上縮小されたパターンが要求されるほか、形状も一般的な直線や矩形パターンだけでなく、複雑さを増した曲線パターンを含めたすべての微細なパターンを同一マスク上で解像させる技術を要する。同社では確立済みの3nmの製造プロセスをベースにして改善を重ね、2nm世代以降に要求されるパターン解像を達成した。

また、高NA対応のフォトマスクについては通常のEUVリソグラフィ向けと異なる製造プロセスフローを構築。最新鋭の電子ビーム描画装置を導入し、感光材の厚みを調節するなど数千パターンから最適な加工条件を見つけることで最適化を行った。

同社は製造の歩留まり向上など生産技術の確立を進め、2027年度には2nm世代ロジック半導体向けフォトマスクの量産を開始する見込みである。また、1nm世代についてはimecとの協力により、その後の量産を目指す。2030年度にはEUV向けフォトマスクで100億円の売上高を目指すとしている。