半導体メモリ大手の米Micron Technologyは1月7日、ニューヨーク州オノンダガ郡に建設を予定している新工場の起工式を2026年1月16日に行い、建設を開始すると発表した。投資総額は最大で1,000億ドルに達し、ニューヨーク州史上最大の民間投資となる。

新工場は生成AIの急速な普及による先端半導体需要の爆発的な増加と、地政学的リスク回避を念頭にした、米国内での半導体サプライチェーンの強化を目的として建設が決定した。同社は米政府の半導体産業支援政策「CHIPS法」により、最大で2000億ドル規模の支援を受けることが決まっており、ニューヨーク州の新工場建設はその支援の中核事業となる。新工場は最大4つのファブを備え、米国最大の半導体製造拠点として、HBM(高帯域幅メモリ)を含む、最先端DRAMを製造する計画である。また、世界最先端のメモリ製造技術も導入する予定である。

起工式には同社のCEOを務めるSanjay Mehrotra氏をはじめとする経営幹部のほか、米トランプ政権、連邦議会、ニューヨーク州および地方政府の関係者、関連企業の関係者、地域コミュニティの関係者などが出席する。

Mehrotra氏は新工場の起工について、「Micronと米国にとって極めて重要な瞬間だ」とし、「今回の投資と進展により、Micronは米国唯一のメモリメーカーとしての地位を確固たるものにする」と自信を示した。

なお、新工場は段階的な建設となり、フェーズ1は2028年の完成、2030年頃の稼働開始予定であり、全面的な完成は2041年頃を予定している。

出典：Micron Press Release