キオクシア株式会社とサンディスクコーポレーションは2025年9月30日、岩手県北上市の北上工場に建設していた第2製造棟（以下K2棟）が稼働を開始したことを発表した。

このK2棟は、2022年4月から建設が開始され、中長期的なフラッシュメモリ市場の拡大に備えるための生産能力増加が主な目的となっている。生産品目としては、キオクシアのウエーハ貼り合わせ技術であるCBA（CMOS directly Bonded to Array）技術を導入した第8世代の218層 3DNANDフラッシュメモリの生産などを行っていく。

同工場建設にあたっては、2024年2月に経済産業省より認定を受けた認定特定半導体生産施設整備等計画に基づく四日市工場と北上工場に対する助成金の一部が、K2棟の設備投資に対して交付されている。

同工場で製造された製品の本格的な出荷は2026年前半を見込み、今後は市場動向に合わせて設備投資を実施していくとしている。

また、K2棟は地震の揺れを吸収する免震構造を採用するとともに、最新の省エネ生産設備の導入などで環境面も重視した製造棟となっている。また、生産効率を向上させるために人工知能（AI）などの最新技術の適用範囲を拡大、生産設備の設置効率を高めるスペース効率に優れたデザインを採用しているという。

出典：キオクシア　ニュースリリース