東京エレクトロン（以下TEL）と米IBMは2025年4月3日、先端半導体技術の共同研究開発に関する契約を5年間延長することを合意したと発表した。両社は半導体技術に関する共同研究開発において20年以上にわたってパートナーシップを結んでおり、今回の合意もそれに基づくものである。

両社はこれまでの共同研究を通して、三次元チップ積層技術用の300mmシリコンチップウエーハを製造するための新しいレーザー剥離プロセスの開発など、複数のブレークスルーを生み出してきた。

新たな契約では、IBMの半導体プロセス集積技術に関する専門知識とTELの最先端半導体製造装置に関する専門技術を結集し、将来の生成AIの性能とエネルギー効率の要件を達成することを達成することを目指した、より微細なノードとチップレット・アーキテクチャの技術を探求するとしている。

なお、両社は世界有数の半導体研究エコシステムであるAlbany NanoTech Complexのメンバーであり、両社の研究者はAlbanyにおける独自のエコシステムと研究開発能力を活用することができ、効率的な研究開発が可能となる。

TELの河合利樹社長は今回の協業について、「今回の契約更新は、High NA(NA=0.55) EUVによるパターニング・プロセスを含む半導体技術の進展に対する両社のコミットメントを示すものだ」と説明したうえ、「イノベーションを推進する上で、Albany NanoTech Complexでの両社の協業は重要な役割を果たしており、今後のさらなる進展を楽しみにしている」と期待を示した。

なお、合意の財務的条件については示されておらず、両社による投資規模は不明である。