レゾナックは9月24日、先進的な半導体材料を製造する仏Soitecとパワー半導体に使用される200mmのSiC（炭化ケイ素）エピタキシャルウエーハの材料となる8インチSiC貼り合わせ基板の共同開発契約を締結したと発表した。

電気自動車（EV）や産業機器などの幅広い用途で採用されるパワー半導体は今後さらなる市場規模の拡大が見込まれる。特にSiCはSiに比べ、電力効率が高く省エネルギー化に貢献するため、需要が急拡大している。

レゾナックはSiC単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたSiCエピウエーハの生産及び大口径化を進めており、既に8インチ品のサンプル出荷を開始している。

一方、Soitecは高品質なSiC基板を加工し、その加工面をサポート基板となる多結晶SiCウエーハに貼り合わせ、単結晶基板を薄膜分割することで、1枚のSiC単結晶基板から複数の高品質SiCウエーハを生産する独自の「SmartSiC技術」を保有している。同技術はSiウエーハで既に実用化されており、SiCウエハに適用した場合には、生産性の向上に加え、製造時の二酸化炭素（CO2）排出量を最大70%削減できるため、環境負荷の低減やコストメリットもある。しかし、SiCパワー半導体の主要材料となるSiC単結晶基板は均一な結晶であることが求められ、高度な生産技術に加え結晶成長に時間がかかるため、生産性向上が課題であった。

今回の共同開発では、レゾナックがSoitecにSiC単結晶を供給し、Soitecはその単結晶を用いてSiC貼り合わせ基板を製造する。これにより、8インチSiCウエハの生産性を向上させ、SiCエピウエーハビジネスでのサプライチェーンの多様化を目指すとしている。

なお、開発完了時期及び市場投入時期は未定となっている。