独Infineon Technologies社とレゾナック・ホールディングス（旧昭和電工）は2023年1月12日、パワー半導体に使用するSiCエピタキシャルウェーハ（以下SiCエピウェーハ）の複数年の供給・協力に関する契約を締結した。これは2021年に締結したSiCウェーハの販売・共同開発契約を補完・拡大するもの。

この契約に基づき、レゾナックはInfineonに対して、従来の150mmウェーハに加えて、200mmのSiCエピウェーハの供給を行う。レゾナックは先の契約に基づき、Infineonが進める150mmウェーハから200mmウェーハへの移行を支援しており、今回の契約では200mウェーハ供給を拡大するとともに、InfineonでのSiCパワー半導体技術の強化、レゾナックでのSiCエピウェーハの技術改善、品質向上の加速を図る。

Infineonは現在、SiCパワー半導体の増強を進めており、2027年までに生産能力を10倍に増強、10年内にSiCデバイスで世界市場シェア30％を獲得することを目指している。このため、マレーシア（Kulim）に新工場を建設しており、2024年生産開始を計画している。