東レエンジニアリングは4月16日、厚みが3㎛以下の超極薄半導体チップの実装技術を開発したと発表した。

半導体実装工程において、チップをダイシングテープなどから剥離する工程では、ニードルを用いる方法が主流で、100㎛以下の薄型チップではチップ専用の治具を用いる方式が採用されるが、通常の10倍以上の時間がかかる。また、研究用途で使われる粘着力の差を利用して剥離する「スタンプ方式」では更に時間が必要であり、生産性の問題があった。

同社は自社技術であるマイクロ発光ダイオード(LED)実装技術に使うレーザー転写技術を応用し、新たに「レーザー・ピール・トランスファー(LPT)技術」を開発。独自の高速、高精度スキャニングシステムにより、厚さ3㎛以下の超極薄半導体チップを従来のフリップチップボンダー以上の高速性を実現しながらキャリアからのピックアップ、基板への転写が出来ることを確認した。

同社によれば、同技術はパワーデバイスやシリコンフォトニクス、メモリー向けなどの実装用途での活用を想定しており、2025年度中に同技術を搭載した実装装置を製品化することを目指すとしている。

出典：東レエンジニアリング　プレスリリース