三菱電機は5月26日、米Coherent社（Ⅱ-Ⅵ）とパワーエレクトロニクス向けの8インチSiC基板共同開発に関する基本合意書を締結した。

SiCパワーモジュールは、従来のシリコンベースのパワーモジュールに比べ、耐圧性能や温度特性に優れており、省エネ化や脱炭素化への貢献が期待されている。同社は3月に8インチに対応した新工場棟を建設し、2026年より稼働を開始させることを発表しており、ここで生産するデバイスに、今回の共同開発による基板が使用されることになる。

Coherent社はSiC材料を長年開発し、2015年に世界初の8インチ導電性基板を実証し、2019年に欧州委員会が設置したHorizon2020のもとで8インチSiC基板の供給を開始した実績がある。また、三菱電機はCoherent社より6インチSiC基板の供給を長年にわたり受けており、今回の共同開発により、両社のパートナーシップをより強固にし、SiCパワーモジュールの安定供給を目指すとしている。