経済産業省は2022年11月11日、日本企業が共同出資し次世代半導体の量産を目指すRapidus（ラピダス）株式会社に向けて700億円の助成を行うことを発表した。また、2022年内に先端装置・装置素材の要素技術関連の研究開発拠点「技術研究組合最先端半導体技術センター（LSTC）を設立することを発表した。両組織は連携して2nm以降の最先端プロセスの研究開発、量産ラインの構築を進めていく。

Rapidusはキオクシア、ソニーグループ、ソフトバンク、デンソー、トヨタ自動車、日本電気、日本電信電話（NTT）、三菱UFJ銀行の8社の共同出資で設立された。三菱UFJ銀行を除く7社が各10億円、三菱UFJ銀行が3億円を出資し、合計73億円が出資される。会長には東京エレクトロン前社長・東哲郎氏、代表取締役には元ウェスタン・デジタル・ジャパン社長・小池淳義氏が就任している。
LSTC、米IBM社などと連携して2nm世代のロジック半導体の技術開発を行い、2020年代後半の量産化に向けて、国内短TAT生産パイロットラインの構築とテストチップによる実証を行っていく。日本のカスタマ向けに、短納期、生産量、多様な生産品に対応できるライン構築を目指す。さらに3D実装技術の量産化に向けての開発も行っていくという。

まず、2022年度には、2nm世代の要素技術をIBMから獲得し、EUVリソグラフィシステムの導入に着手する。さらに短TAT生産システムに必要な装置、搬送システム、生産管理システムの使用を策定し、パイロットラインの初期設計を実施する。オランダASML社による供給能力に課題のあるEUVリソグラフィシステムについては、2024年末からの輸入となる見通し。
小池社長は投資金額として、「パイロットラインで2兆円、量産ラインに3兆円。合計5兆円程度はかかるだろう」との見通しをしめしている。さらに東会長は「最初の5年は開発に専念し、次の5年で事業化に転換していく」との計画を明らかにしている。
LSTCは理事長にRapidusの東会長が就任する。米国NTSC（全米半導体技術センター）、ベルギーimecなどの関係機関との連携を含めて、国内外にオープンな研究開発プラットフォームとして構築する。
研究テーマは最先端半導体回路設計技術、GAA（Gate All Around)以降の最先端トランジスタ技術の開発、短TAT実現に向けた量産技術、GAA構造、先端パッケージ実現に向けた素材開発、前工程の開発と連動した3Dパッケージ技術の確立などとなる。
国内の参加機関は、（国研）物資・材料研究機構、（国研）理化学研究所、 （国研）産業技術研究所、東北大学、筑波大学、東京大学、東京工業大学、大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構、Lapidusが参加する。

2021年から世界中で次世代半導体の開発が加速し、経済安全保障の観点から自国内での半導体生産の強化を進めている。日本の半導体開発においては、2022年5月に米国との間に「半導体協力基本原則」で合意した。さらに同年7月には日米共同研究開発の推進に合意し、NTSCの立ち上げを発表していた。
さらに日本政府は2022年6月に発表した「経済財政運営と基本方針2022」（いわゆる骨太の方針）の中で、「次世代に不可欠な技術の開発・実装の担い手となる民間企業への資本強化を含めた支援の在り方について検討を行う。日米首脳での合意に基づき、先端半導体基盤の拡充・人材育成に加え、2020年代後半に次世代半導体の設計・製造基板を確立する」との方針を明らかにしていた。

図1　半導体プロジェクトの体制