DRAMの世界最大手である韓Samsung電子は、11月7日に、第8世代のNANDフラッシュメモリとなる「V-NAND」の量産を開始したことを発表した。このメモリは236層の3D-NAND構造を有しており、容量はついに1テラビットに達した。これは量産ベースでは業界最高値となる。

Samsung電子メモリ事業部の許成会副社長は、このメモリについて「層数を増やしながらも、セル（データ保存空間）の面積と高さをいずれも抑え、体積を減らす際に生じる干渉現象制御技術も確保した」と説明している。

3DNANDフラッシュメモリの容量を巡っては、3社でSamsung、Micron、SK Hynixの3社で激しい技術競争が行われている。

2022年7月には一足先に米Micronが176層品と比較して50%高速化した232層NANDフラッシュメモリの量産を開始したが、その後SK Hynixが238層の3D NANDフラッシュメモリを発表しているが、この製品は2023年上半期に量産する予定とされている。